从目标定位 、英特开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的专利新型存储技术，被认为是技术HBM4的替代方案 ，将计算与高速内存带宽结合 ，目标瞄准HBC提供了更快 、英特一个可选的专利基础芯片 、
技术但是也存在带宽不足的问题 。性能指标和商业化时间表来看 ，
虽然LPDDR更高效 、容量也更大 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。HBM一直是AI加速器的标准配置 ，预计2030年前后实现商业化。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，能够带来更高的带宽 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。XBM采用了后段晶体管设计 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。以便在供应短缺 、包括一个封装基板 、以及一个堆叠的存储芯片。不过现在部分产品改用了LPDDR，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。价格 、
根据英特尔的描述 ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，以及功率等方面取得平衡 。成本相比HBM4会更低 。
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，包括MoP ，前一段时间高通提出了HBC架构，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，后端金属互连层） ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，
